R32 Difluorometan (CH₂F₂) yarimo'tkazgichlarni qo'llash uchun quruq o'tlash gazi sifatida

 

Quruq surtishyuqori aniqlik va anizotropiya bilan yupqa plyonkalarni o'rash uchun plazma yoki reaktiv gazlardan foydalanadigan materialni olib tashlash jarayonidir. Nam qirqish bilan solishtirganda, quruq silliqlash quyidagilarni taklif qiladi:

 Yaxshiroq tanqidiy o'lchov (CD) nazorati

 Yaxshilangan naqsh aniqligi

 Ilg'or tugun ishlab chiqarish bilan moslik

 

Umumiy quruq qirqish usullari quyidagilarni o'z ichiga oladi:

 Plazma bilan ishlov berish

 Reaktiv ion bilan ishlov berish (RIE)

 Induktiv ravishda bog'langan plazma (ICP) bilan ishlov berish

 

R32, SF₆ va C₄F₈ kabi ftor{0}}asosli gazlar kremniy{2}}asosli materiallar bilan kuchli kimyoviy reaksiyaga kirishishi tufayli keng qoʻllaniladi.

 

 

Plazma sharoitida R32 (CH₂F₂) faol ftor radikallarini (F·) va boshqa reaktiv turlarni hosil qilish uchun ajralib chiqadi.

 

R32 ning asosiy etching funktsiyalari

 Ftor radikallari tarkibidagi kremniy{0}} bilan reaksiyaga kirishib, uchuvchi yon mahsulotlar hosil qiladi.

 Si₃N₄ (kremniy nitridi) ning samarali qirqishini ta'minlaydi.

 Nozik naqshlar uchun mos bo'lgan boshqariladigan etch tezligini ta'minlaydi

 

Yuqoriroq{0}}ftorli gazlar bilan solishtirganda, R32 koʻproq boshqariladigan oʻyma harakatini taʼminlaydi, bu uni selektivlik va profil nazorati muhim boʻlgan ilovalarda foydali qiladi.

 

R32 odatda quyidagi afzalliklarga ko'ra Si₃N₄ plazma bilan ishlov berish uchun tanlanadi:

1. Boshqariladigan Etch tezligi

R32 o'rtacha ftor zichligini ta'minlaydi, bu esa silliqlash tezligi va bir xillikni yaxshiroq boshqarish imkonini beradi.

 

2. Jarayonning yaxshi barqarorligi

Uning plazmadagi parchalanish harakati, ayniqsa, boshqa texnologik gazlar bilan birgalikda barqaror o'chirish sharoitlarini qo'llab-quvvatlaydi.

 

3. Gaz aralashmalari bilan mosligi

R32 ko'pincha boshqa gazlar bilan-sozlash uchun ishlatiladi:

Etch selektivligi

Yon devor profili

Sirt pürüzlülüğü

 

4. Atrof-muhitga oid mulohazalar

ODP=0 va ba'zi muqobil ftorli gazlar bilan solishtirganda nisbatan past GWP bilan R32 atrof-muhitga e'tiborli ishlab chiqarish jarayonlarida tobora ko'proq qabul qilinmoqda.

 

Gaz	Asosiy dastur	Eshitish harakati	Selektivlik	Atrof-muhit profili
R32 (CH₂F₂)	Si₃N₄ qirqish	Boshqariladigan, o'rtacha	O'rta	ODP 0, past GWP
SF₆	Si, SiO₂	Juda agressiv	Yuqori	Juda yuqori GWP
C₄F₈	Profilni boshqarish	Polimer hosil bo'lishi	Yuqori	Yuqori GWP
CF₄	Umumiy ftor manbai	Barqaror, lekin sekinroq	O'rta	Yuqori GWP

Ushbu taqqoslash texnologik muhandislarga etch ishlashi, selektivlik va barqarorlik maqsadlari asosida mos gazni tanlashga yordam beradi.

 

 

1-savol: R32 Si₃N₄ dan boshqa materiallarni qirqish uchun mos keladimi?

A1:R32 asosan Si₃N₄ qirqish uchun ishlatiladi, lekin jarayon dizayniga qarab-boshqa kremniyga{3}}asosiy materiallar uchun aralash gaz jarayonlarida qoʻllanilishi mumkin.

 

2-savol: Yarimo'tkazgich ishlab chiqarish uchun R32 ning qanday tozalik darajasi talab qilinadi?

A2: Jarayon barqarorligi va qurilma unumdorligini ta'minlash uchun-elektron darajadagi tozalik (99,9% yoki undan yuqori) odatda talab qilinadi.

 

3-savol: R32 quruq surtishda SF₆ o'rnini bosa oladimi?

A3: R32 barcha holatlarda to'g'ridan-to'g'ri almashtirilmaydi, lekin ko'pincha ishlashni saqlab, atrof-muhitga ta'sirni kamaytirish uchun optimallashtirilgan gaz aralashmalarining bir qismi sifatida ishlatiladi.

Texnik yordam yoki ommaviy ta'minot kerakmi?

Agar siz yarimo'tkazgichlar ishlab chiqarish uchun R32 toifali elektron quruq gazni-sharayotgan bo'lsangiz, biz quyidagilarni ta'minlashimiz mumkin:

 Batafsil texnik xususiyatlar

 SDS va xavfsizlik hujjatlari

 Moslashtirilgan tozalik va qadoqlash yechimlari

 Ishlab chiqarish liniyalari uchun barqaror ommaviy yetkazib berish

 Jarayon talablaringizni muhokama qilish uchun bugun biz bilan bog'laning.

Hozir murojaat qiling